Valley relaxation of resident electrons and holes in a monolayer semiconductor: Dependence on carrier density and the role of substrate-induced disorder
Valley relaxation of resident electrons and holes in a monolayer semiconductor: Dependence on carrier density and the role of substrate-induced disorder
Autor
Punktacja ministerialna
70
Data publikacji
Dyscyplina PBN
nauki fizyczne
Czasopismo
Physical Review Materials
Tom
5
Zeszyt
4
ISSN
2475-9953
Licencja otwartego dostępu
Dostęp zamknięty