Artykuł w czasopiśmie
Brak miniatury
Licencja
ClosedAccessDostęp zamknięty

Valley relaxation of resident electrons and holes in a monolayer semiconductor: Dependence on carrier density and the role of substrate-induced disorder

Pokaż widok metadanych
DOI
10.1103/PHYSREVMATERIALS.5.044001
Autor
Tongay, S.
Crooker, S. A.
Goryca, Mateusz
Li, Jing
Yumigeta, K.
Li, H.
Data publikacji
2021
Dyscyplina PBN
nauki fizyczne
Czasopismo
Physical Review Materials
Tom
5
Zeszyt
4
ISSN
2475-9953
Link do źródła
https://link.aps.org/article/10.1103/PhysRevMaterials.5.044001
Licencja otwartego dostępu
Dostęp zamknięty