Projektowanie i charakterystyka układów kompozytowych opartych na tlenku miedzi(I) jako półprzewodniku typu p, zdolnym do niskotemperaturowej, fotoelektrochemicznej konwersji tlenku węgla(IV)

Uproszczony widok
dc.abstract.plNiniejsza rozprawa doktorska dotyczy optymalizacji układów fotoelektrochemicznych, zdolnych do inicjowanej światłem redukcji dwutlenku węgla do alternatywnych paliw czy związków chemicznych, w konwencjonalnych warunkach ciśnienia i temperatury. Głównym komponentem otrzymanych i scharakteryzowanych w pracy fotokatod jest półprzewodnika typu p, tlenek miedz(I) (Cu2O). Praca ma układ klasyczny, współtworzony przez część literaturową i eksperymentalną. Dwa pierwsze rozdziały stanowią wprowadzenie i uzasadnienie do podjętej w pracy tematyki badawczej. Ukazują one zarówno podejście elektrochemiczne, jak i fotoelektrochemiczne do procesu redukcji dwutlenku węgla. Kolejno, opisane zostały podstawy fizykochemiczne materiałów półprzewodnikowych w kontekście potencjalnych zastosowań (foto)elektrochemicznych. W celu uzyskania szerokiego spektrum wiedzy na temat właściwości stosowanych materiałów w procesie konwencjonalnej, elektrochemicznej oraz fotoelektrochemicznej redukcji CO2, wykonana została ich analiza w oparciu o wybraną literaturę naukową ze szczególnym uwzględnieniem miedzi, tlenku miedzi(I) oraz tlenku miedzi(II). Pozwoliło to w późniejszym toku pracy doktorskiej na opracowanie i optymalizację metodyki otrzymywania Cu2O wykazującego pożądane właściwości strukturalne czy fotoelektrochemiczne. W części literaturowej poruszona została także kwestia (foto)stabilności, oporności na korozję tlenku miedzi(I). W konsekwencji przedstawione zostały potencjalne sposoby ochrony stosowanego półprzewodnika typu p ze szczególnym uwzględnieniem zewnętrznej warstwy pokrywającej. Ponadto część teoretyczna pracy uwzględnia opis stosowanych metod/technik badawczych.
dc.affiliation.departmentWydział Chemii
dc.contributor.authorSzaniawska, Ewelina
dc.date.accessioned2020-01-24T07:39:31Z
dc.date.available2020-01-24T07:39:31Z
dc.date.defence2020-02-05
dc.date.issued2020-01-24
dc.description.additionalLink archiwalny https://depotuw.ceon.pl/handle/item/3634
dc.description.promoterKulesza, Paweł
dc.identifier.urihttps://repozytorium.uw.edu.pl//handle/item/3634
dc.language.isopl
dc.rightsClosedAccess
dc.subject.enover-layer
dc.subject.en(photo)corrosion
dc.subject.entungsten carbide
dc.subject.encarbide derived carbons
dc.subject.enoligoaniline
dc.subject.ennonstoichiometric titanium oxides
dc.subject.entitanium(IV) oxide
dc.subject.enactivation and stabilization
dc.subject.ensemiconductor
dc.subject.encopper(I) oxide
dc.subject.enphotoelectrochemistry
dc.subject.encarbon dioxide reduction
dc.subject.plzewnętrzna warstwa pokrywająca
dc.subject.pl(foto)korozja
dc.subject.plwęglik wolframu
dc.subject.plwęgiel
dc.subject.ploligoanilina
dc.subject.plniestechiometryczne tlenki tytanu
dc.subject.pltlenek tytanu(IV)
dc.subject.plaktywacja i stabilizacja
dc.subject.plpółprzewodnik
dc.subject.pltlenek miedzi(I)
dc.subject.plfotoelektrochemia
dc.subject.plredukcja tlenku węgla(IV)
dc.titleProjektowanie i charakterystyka układów kompozytowych opartych na tlenku miedzi(I) jako półprzewodniku typu p, zdolnym do niskotemperaturowej, fotoelektrochemicznej konwersji tlenku węgla(IV)
dc.title.alternativeDevelopment and characterization of multi-component systems utilizing copper(I) oxide p-type semiconductor capable of efficient low-temperature photoelectrochemical conversion of carbon dioxide
dc.typeDoctoralThesis
dspace.entity.typePublication